Uz zinātniskā žurnāla Crystals vāka - SMI pētnieku publikācija

Uz zinātniskā žurnāla Crystals vāka nokļuvusi Skaitliskās modelēšanas institūta pētnieku Kirila Surovova, Maksima Surovova, Andreja Sabanska un Jāņa Virbuļa publikācija "Simulation of Axial and Radial Species Segregation in Floating Zone Si Growth". Publikācija tapusi sadarbībā ar Berlīnes kristālaudzēšanas institūta (Leibniz-Institut für Kristallzüchtung) pētniekiem Kasparu Dadzi, Robert Menzel un Nikolay Abrosimov.

Piemaisījumu sadalījums silīcija kristālā nosaka tā elektrisko pretestību un citas svarīgas īpašības. Lai aprakstītu piemaisījumu pārnesi, būtiska nozīme ir segregācijai pie kristalizācijas frontes. Ir svarīgi zināt ne tikai līdzsvara segregācijas koeficientu, bet arī efektīvo segregācijas koeficientu, kurā ņemta vērā kausējuma plūsmas ietekme. 

Publikācijā aprakstīti kristālu audzēšanas procesa modelēšanas rezultāti: fāžu robežu forma, kausējuma plūsma, piemaisījumu sadalījums kausējumā un, visbeidzot, radiālais un aksiālais piemaisījumu sadalījums kristālā. Tika pierādīts, ka efektīvais segregācijas koeficients  audzēšanas procesa laikā nav konstants, bet, palielinoties kausējuma diametram, tas pieaug mazāk intensīvas kausējuma sajaukšanās dēļ. 

Pētījuma izstrādi atbalstīja projekts ”LU doktorantūras kapacitātes stiprināšana jaunā doktorantūras modeļa ietvarā” – Latvijas Universitāte, Līguma Nr. 8.2.2.0/20/I/006.